串聯(lián)
在串聯(lián)時，需要注意靜態(tài)截止電壓和動態(tài)截止電壓的對稱分布。
在靜態(tài)時，由于串聯(lián)各元件的截止漏電流具有不同的制造偏差，導致具有 漏電流的元件承受了 的電壓，甚至達到擎住狀態(tài)。但只要元件具有足夠的擎住穩(wěn)定性，則無必要在線路中采用均壓電阻。只有當截止電壓大于 1200V 的元件串聯(lián)時，一般來說才有必要外加一個并聯(lián)電阻。
假設截止漏電流不隨電壓變化，同時忽略電阻的誤差，則對于 n 個具有給定截止電壓 VR 的二極管的串聯(lián)電路，我們可以得到一個簡化的計算電阻的公式：
以上 Vm 是串聯(lián)電路中電壓的 值，△Ir 是二極管漏電流的 偏差，條件是運行溫度為 值。我們可以做一個安全的假設：
上式中，Irm 是由制造商所給定的。利用以上估計，電阻中的電流大約是二極管漏電流的六倍。
經(jīng)驗表明，當流經(jīng)電阻的電流約為 截止電壓下二極管漏電流的三倍時，該電阻值便是足夠的。但即使在此條件下，電阻中仍會出現(xiàn)可觀的損耗。
原則上，動態(tài)的電壓分布不同于靜態(tài)的電壓分布。如果一個二極管 pn 結的載流子小時得比另外一個要快，那么它也就更早地承受電壓。
如果忽略電容的偏差，那么在 n 個給定截止電壓值 Vr 的二極管相串聯(lián)時，我們可以采用一個簡化的計算并聯(lián)電容的方法：
以上△QRR 是二極管存儲電量的 偏差。我們可以做一個充分安全的假設：
條件是所有的二極管均出自同一個制造批號。△QRR 由半導體制造商所給出。除
了續(xù)流二極管關斷時出現(xiàn)的存儲電量之外，在電容中存儲的電量也同樣需要由正在開通的 IGBT 來接替。根據(jù)上述設計公式，我們發(fā)現(xiàn)總的存儲電量值可能會達到單個二極管的存儲電量的兩倍。
一般來說，續(xù)流二極管的串聯(lián)電流并不多見，原因還在于存在下列附件的損耗源：
1、pn 結的 n 重擴散電壓;
2、并聯(lián)電阻中的損耗；
3，需要由 IGBT 接替的附加存儲電量
4、由 RC 電路而導致的元件的增加。
所以在高截止電壓的二極管可以被采用時，一般不采用串聯(lián)方案。
的例外是當應用電路要求很短的開關時間和很低的存儲電量時，這兩點正好是地奈亞二極管所具備的。當然此時系統(tǒng)的通態(tài)損耗也會大大增加。
并聯(lián)
并聯(lián)并不需要附加的 RC 緩沖電路。重要的是在并聯(lián)時通態(tài)電壓的偏差應盡可能小。
一個判斷二極管是否適合并聯(lián)的重要參數(shù)是其通態(tài)電壓對溫度的依賴性。如果通態(tài)電壓隨溫度的增加而下降，則它具有負的溫度系數(shù)。對于損耗來說，這是一個優(yōu)點。
如果通態(tài)電壓隨溫度的增加而增加，則溫度系數(shù)為正。
在典型的并聯(lián)應用中，這是一個優(yōu)點，其原因在于，較熱的二極管將承受較低電流，從而導致系統(tǒng)的穩(wěn)定。因為二極管總是存在一定的制造偏差，所以在二極管并聯(lián)時，一個較大的負溫度系數(shù)（＞2mV/K）則有可能產(chǎn)生溫升失衡的危險。
并聯(lián)的二極管會產(chǎn)生熱耦合
1、在多個芯片并聯(lián)的模塊中通過基片；
2、在多個模塊并聯(lián)于一塊散熱片時通過散熱器
一般對于較弱的負溫度系數(shù)來說，這類熱偶合足以避免具有 通態(tài)電壓的二極管走向溫度失衡。但對于負溫度系數(shù)值＞2mM/K 的二極管，我們則建議降額使用，即總的額定電流應當小于各二極管額定電流的總和。
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