兩個PMOS并聯(lián)
電路描述： Q3是三極管，Q1和Q2是PMOS管，左右兩邊的+12V是輸入，VIN是輸出，用來給模塊供電，PHONE_POWER是控制信號。
電路邏輯： PHONE_POWER 輸出高電平時，Q3導通，Q1和Q2導通，VIN=+12V； PHONE_POWER輸出低電平時，Q3截止，Q和Q2截止，VIN=0V；
所以看起來這個電路很簡單， 問：為什么用兩個PMOS，Q1和Q2，用一個PMOS是不是也可以？
了解的話一看就知道了，Q1和Q2導通時，左右兩邊12V并聯(lián)增加電流，為的是提高VIN的帶載能力，或者換個說法是：VIN負載電流比較大，用兩個PMOS管分流。
舉個例子： 如果VIN負載最大電流為1A，用一個PMOS管，電流都會加在這個MOS管的DS上，選型時PMOS的IDS電流至少得1A以上； 如果用兩個PMOS，每個PMOS管的IDS電流是不是在0.5A以上即可。
所以這么設計的目的是為了節(jié)省成本 ，可能1個IDS=1A電流的管子比兩個IDS=0.5A的管子貴。
問題來了，流過Q1和Q2的電流都是0.5A嗎？
如果流過Q1的電流是0.6A，流過Q2的電流是0.4A，那Q1過流發(fā)熱不就燒壞了？可能有人說了Q1燒壞了，還有Q2，難道Q2不會再燒壞嗎？答案是Q2肯定會壞。
那有人說了，Q1和Q2用同樣型號的PMOS管不就行了，這樣兩個管子的Rdson（導通內阻）一樣，流過的電流肯定也一樣。
但是實際上，因為制造工藝的影響，同一型號同一批次的兩個管子，Rdson和其他參數(shù)不可能做到完全一樣。
看到這里大家可能覺得很有道理，就算用一樣的型號，流過兩個MOS管的電流也不一樣，那是不是這個電路就無法使用了？
上述電路可以使用，使用時需要注意的點：
第1：Q1和Q2最好用同一型號，且IDS需要留有一定的余量，負載電流如果最大1A，兩個PMOS的IDS可以選擇0.6~0.7A左右，這樣就有200mA~400mA的余量。
第2：這一點非常重要，這個電路可以實現(xiàn)「均流」，什么叫均流，也就是流過Q1和Q2的電流肯定是一樣的。
流過Q1和Q2的電流大小取決于Rdson參數(shù)。
第1點已經說了，Q1和Q2使用同一型號的管子，可能因為制造工藝影響，假設Q1的Rdson比Q2的Rdson小，那么流過Q1的電流會比流過Q2的電流大。
但是有一點需要注意 ，MOS管的導通內阻和溫度是呈正系數(shù)關系，也就是說隨著溫度的升高，內阻會變大，因為流過Q1的電流比Q2大，所以Q1的溫升肯定比Q2高，這時候Q1的內阻會變大，內阻變大帶來的效果是流過Q1的電流又會變小，這不是個完整的負反饋嗎，完美的實現(xiàn)了均流。
兩個PMOS串聯(lián)
如果說上面的是兩個MOS管并聯(lián)，下面這個圖是兩個MOS管串聯(lián)，VIN是輸入，VOUT是輸出。
電路邏輯： PHONE_POWER輸出高電平時，Q3導通，Q1和Q2導通，VIN=VOUT； PHONE_POWER輸出低電平時，Q3截止，Q和Q2截止，VIN=0V；
電路作用： 針對上面后一點，在兩個MOS管關閉的情況下，如果調試需要外接VOUT， 可以防止VOUT的電串到VIN上面 ，利用的是Q1體二極管反向截止特性（左正右負）。
如果沒有Q1，那么VOUT直接從Q2的體二極管（左負右正）串電到VIN上面。
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