晶體管偏置是將晶體管直流工作電壓或電流條件設(shè)置為正確電平的過程，以便晶體管可以正確放大任何交流輸入信號
晶體管穩(wěn)態(tài)操作在很大程度上取決于其基極電流，集電極電壓和集電極電流，因此，如果晶體管要作為線性放大器工作，則必須正確偏置以具有合適的工作點。
建立正確的工作點需要正確選擇偏置電阻和負載電阻，以提供適當?shù)妮斎腚娏骱图姌O電壓條件。雙極晶體管（NPN或PNP）的正確偏置點通常位于兩個極端操作之間，相對于其沿著其負載線“完全接通”或“完全斷開”。該中心工作點稱為“靜態(tài)工作點”，或簡稱 Q點。
當雙極晶體管偏置時，Q點接近中間它的工作范圍大約是截止和飽和之間的一半，據(jù)稱它是作為A類放大器工作的。當輸入信號擺動整個周期時，這種操作模式允許輸出電流在放大器Q點附近增加和減少而沒有失真。換句話說，輸出電流流過輸入周期的整個360 o 。
那么我們?nèi)绾卧O(shè)置晶體管的Q點偏置呢？
使用通常稱為 Base Bias 的過程實現(xiàn)晶體管的正確偏置。
但在我們開始研究可能的不同晶體管偏置布置之前，讓我們首先提醒自己基本的晶體管電路以及相關(guān)的電壓和電流，如左圖所示。
“DC偏置電平”或“無輸入信號電平”是通過將其集電極電流（ I C ）設(shè)置為常數(shù)和穩(wěn)定來正確設(shè)置晶體管Q點沒有輸入信號施加到晶體管Base的狀態(tài)值。
此穩(wěn)態(tài)或DC工作點由電路的直流電源電壓（ Vcc ）和偏置電阻的值連接到晶體管Base端子。
自從晶體管基極偏置電流是穩(wěn)態(tài)直流電流，適當使用耦合和旁路電容將有助于阻止一個晶體管級的偏置電流設(shè)置，從而影響下一個晶體管的偏置條件。基極偏置網(wǎng)絡(luò)可用于共基極（CB），共集電極（CC）或共射極（CE）晶體管配置。在這個簡單的晶體管偏置教程中，我們將研究可用于公共發(fā)射極放大器的不同偏置布置。
基極偏置共用發(fā)射極放大器
最常用的偏置電路之一晶體管電路具有發(fā)射極 - 偏置電路的自偏壓，其中一個或多個偏置電阻用于設(shè)置晶體管電流的初始DC值，（ I B ），（ I C ）和（ I E ）。
這兩個最常見的晶體管偏置形式是： Beta Dependent 和 Beta Independent 。晶體管偏置電壓很大程度上取決于晶體管β（β），因此為一個晶體管設(shè)置的偏置對于另一個晶體管可能不一定相同。晶體管偏置可以通過使用單個反饋電阻或使用簡單的分壓器網(wǎng)絡(luò)來實現(xiàn)，以提供所需的偏置電壓。
以下是來自單電源的晶體管基極偏置配置的五個示例（ Vcc ）。
固定基極偏置晶體管
所示電路稱為“固定基極偏置電路”，因為對于給定的 Vcc I B 保持不變>，因此晶體管工作點也必須保持固定。該兩個電阻器偏置網(wǎng)絡(luò)用于使用固定電流偏置來建立晶體管的初始操作區(qū)域。
這種類型的晶體管偏置布置也是β依賴偏置，因為穩(wěn)態(tài)工作條件是晶體管ββ值的函數(shù)，因此偏置點將在很寬的范圍內(nèi)變化與晶體管特性相同類型的晶體管將不會完全相同。
晶體管的發(fā)射極二極管通過限流電阻施加所需的正基極偏壓而正向偏置。 [R <子>乙。假設(shè)標準雙極晶體管，正向基極 - 發(fā)射極電壓降為0.7V。那么 R B 的值就是：（V CC - V BE ）/ I B 其中 I B 定義為 I C /β。
采用這種單電阻器類型的偏置方法，偏置電壓和電流在晶體管工作期間不會保持穩(wěn)定，并且可能有很大差異。此外，晶體管的溫度會對工作點產(chǎn)生不利影響。
集電極反饋偏置晶體管
這種自偏置集電極反饋配置是另一種β依賴偏置方法，只需要兩個電阻即可為晶體管提供必要的直流偏置。集電極到基極反饋配置確保晶體管始終偏置在有源區(qū)域，而不管Beta的值（β），因為DC基極偏置電壓來自集電極電壓， V C 提供良好的穩(wěn)定性。
在此電路中，基極偏置電阻 R B 連接晶體管集電極 C ，而不是電源電壓軌， Vcc ?，F(xiàn)在，如果集電極電流增加，則集電極電壓下降，從而減小基極驅(qū)動，從而自動降低集電極電流，從而保持晶體管Q點固定。然后這種集電極反饋偏置方法會產(chǎn)生負反饋，因為從輸出到輸入的反饋通過電阻 R B。
偏置電壓來自負載電阻兩端的電壓降， R L 。因此，如果負載電流增加，則 R L 的電壓降會更大，相應(yīng)的集電極電壓也會降低， V C 會導(dǎo)致基極電流相應(yīng)下降， I B 反過來會帶來 I C 恢復(fù)正常。
當晶體管集電極電流變小時，也會發(fā)生相反的反應(yīng)。然后這種偏置方法被稱為自偏置，使用這種類型的反饋偏置網(wǎng)絡(luò)對晶體管穩(wěn)定性通常適用于大多數(shù)放大器設(shè)計。
雙反饋晶體管偏置
在前一種配置的基礎(chǔ)偏置網(wǎng)絡(luò)中增加一個額外的電阻可以提高β的變化的穩(wěn)定性，（β）通過增加流過基極偏置電阻的電流。
流過 R B1 的電流通常設(shè)置為等于約的值集電極電流的10％， I C 。顯然它也必須大于β的最小值β所需的基極電流。
這種自偏置配置的一個優(yōu)點是電阻提供同時自動偏置和Rƒ反饋。
具有發(fā)射極反饋的晶體管偏置
這種類型的晶體管偏置配置，通常稱為自發(fā)射極偏置，使用發(fā)射極和基極 - 集電極反饋來穩(wěn)定集電極電流，因為電阻 R B1 和 R E 以及晶體管的基極 - 發(fā)射極結(jié)都與電源電壓有效連接， V <子> CC 。
這種發(fā)射極反饋配置的缺點是輸出由于基極電阻連接而降低了增益，因為集電極電壓決定了流經(jīng)反饋電阻的電流， R B1
從發(fā)射器流出的電流 I E （這是的組合I C + I B ）導(dǎo)致電壓降出現(xiàn)在 R E 中方向，它反向偏置基極 - 發(fā)射極結(jié)。
因此，如果發(fā)射極電流增加，電壓降 I * R E 也會增加。由于該電壓的極性反向偏置基極 - 發(fā)射極結(jié)， I B 會自動降低。因此，如果沒有自偏置電阻，發(fā)射極電流增加的幅度會小于它本來的情況。
通常設(shè)置電阻值，使發(fā)射極電阻上的壓降 R E 約為 V CC 的10％，流過電阻 R B1 的電流為10集電極電流的百分比 I C 。
這種類型的晶體管偏置配置在相對較低的電源電壓下工作效果最佳。
分壓器晶體管偏置
使用分壓器網(wǎng)絡(luò)對共發(fā)射極晶體管進行偏置，以提高穩(wěn)定性。該偏置配置的名稱來自以下事實：兩個電阻 R B1 和 R B2 形成電壓或者電源上的分壓器網(wǎng)絡(luò)，它們的中心點連接點連接晶體管基極端子，如圖所示。
這種分壓器偏置配置是最廣泛使用的晶體管偏置方法，因為晶體管的發(fā)射極二極管是正向的由電阻 R B2 上的電壓降低。此外，分壓器網(wǎng)絡(luò)偏置使晶體管電路獨立于β的變化，因為晶體管基極，發(fā)射極和集電極的電壓取決于外部電路值。
計算電阻器 R B2 因此施加到基極端子的電壓我們只是使用串聯(lián)電阻的分壓器公式。
通常電阻器電壓降 R B2 遠小于電阻 R B1 。那么顯然晶體管基極電壓 V B 相對于地，將等于 R B2 兩端的電壓。
流經(jīng)電阻器 R B2 的電流通常設(shè)置為所需基極電流 I B的10倍。 因此它對分壓器電流或Beta的變化沒有影響。
晶體管偏置的目標是建立一個已知的Q-為了使晶體管有效工作并產(chǎn)生無失真的輸出信號。晶體管的正確偏置還可以通過使用兩個或四個電阻偏置網(wǎng)絡(luò)的實際偏置電路建立其初始AC工作區(qū)。
在雙極晶體管電路中，Q點由（表示）對于NPN晶體管，V CE ， I C ）或（ V EC ， I C ）用于PNP晶體管。通常通過將集電極電流視為β（β）和溫度的函數(shù)來評估基極偏置網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定性，從而評估Q點。
這里我們有簡要介紹了使用電阻網(wǎng)絡(luò)“偏置晶體管”的五種不同配置。但我們也可以使用硅二極管，齊納二極管或有源網(wǎng)絡(luò)對晶體管進行偏置，所有這些都連接到晶體管的基極端，或者通過從雙電源偏置晶體管。
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